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真被達里奧說中!歐洲又來鬧事了

2019年08月10日 16:57來源:網絡
責任編輯:第一黃金網
摘要
本文來自 微信公眾號“半導體行業觀察”,作者為蔣思瑩。8月8日,中芯國際(00981)發布了其2019年第二季度的財務報

本文來自 微信公眾號“半導體行業觀察”,作者為蔣思瑩。

8月8日,中芯國際(00981)發布了其2019年第二季度的財務報告。中芯國際在其電話會議中表示,得益于智能手機和物聯網生態的帶動,中芯國際本季度在通訊市場走勢良好,營收占比為48.9%。另外,據其財報顯示,其FinFET工藝研發持續加速,14nm已進入客戶風險量產,預期在今年底貢獻有意義的營收。第二代FinFET N+1技術平臺已開始進入客戶導入。在9日的電話會議上,中芯國際CEO趙海軍博士表示:“目前已經有十幾家企業采用中芯國際的14nm工藝,年底將有小批量出貨。”

這是繼中芯國際在第一季度后,再傳出關于公司在14nm工藝上的好消息。而伴隨著這條消息的發布,也不難發現,在不經意間,中芯國際在先進工藝上已然取得了驚人的成長。

中芯國際的發展之路

雖然現在已有7nm的產品被應用,與5nm及其以下工藝相關的計劃消息也接連不斷。但據公開消息顯示,目前主流的芯片制程仍是90nm、65nm、40nm、28nm、16nm,由于28nm工藝成熟和高性價比特性,成為目前生產最多的芯片,銷售占比近30%。

而從中芯國際去年第四季度的財報中看,按工藝制程上來看,中芯國際在2018年的主要收入來源仍然來自40/45nm(2013年量產40nm)和55/65nm,分別占四季度總營收的 20.3%和23.0%,28nm只占其四季度收入的5.4%。但根據西南電子的調查顯示,當先進工藝進入到28nm階段,僅有5家純晶圓代工企業和5家IDM企業進行了成功量產,中芯國際是中國大陸最早可以量產28納米技術的晶圓代工廠(中芯國際28nm工藝于2015年正式成功量產)。

但根據雷鋒網的介紹,28nm工藝有兩個方向,一個是高介電常數金屬閘極(HKMG),一個是低功耗型的傳統氮氧化硅(SiON)。當時,中芯國際的28nm屬于后者,相比前者技術難度更低。而后,在接下來的幾年中,中芯國際一直沒有放棄28nm HKC+工藝。直到2018年下半年,中芯國際終于宣布已經量產28nm HKC+工藝,而華虹方面則計劃到今年年底才能量產28nm HKC+工藝。

由于技術上的提升,以及市場對28nm產品的需求,使得中芯國際的28nm產品在過去的半年中有所增長。據其最新財報顯示,在中芯國際2019年第二季度中,其28nm占其收入的8.6%。由此看來,中芯國際的28nm工藝已經漸入佳境。但是,在9號的財報會議上,中芯國際則表示,公司不打算在短期內擴大28納米的產量。在2019年,中芯國際同樣也將致力28nm HKC+工藝的多樣化發展。此時,中芯國際在剛剛邁入28nm的時代,國際廠商已經將先進工藝延伸到了10nm甚至是7nm。這也就意味著28nm的價格已經被“壓了下來”。這對中芯國際來說,是個不小的壓力。

在這種壓力下,中芯國際早早開始布局28nm以下工藝。2017年,在梁孟松剛加入中芯國際之時,就有臺媒報道稱,中芯國際已經在14nm工藝上開始布局。在接下來不到3季的時間里,中芯國際14nm的試產良率,已快速從3%提升到95%。當時間進入到2019年后,中芯國際的14nm產品有了后續的好消息。據新媒科技評論先前的報道稱,中芯國際于今年上半年將會大規模量產14nm工藝,首個訂單來自手機領域。

除此之外,今年5月,中芯國際聯席首席執行官梁孟松在公司第一季度財報中透露,中芯國際FinFET研發進展順利,12nm工藝開發進入客戶導入階段,上海中芯南方FinFET工廠也已順利建造完成,開始進入產能布建。其14nm工藝雖已經有客戶導入,但目前為止,并沒有對公司的營收產生影響。對此,公司也在其最新財報中表示,其14nm相關產品預期在今年底貢獻有意義的營收。

同時,在第二季度財報中,中芯國際也公布了其14nm的最新進展——中芯國際聯席CEO梁孟松曾表示,“中芯國際第一代FinFET 14nm工藝已經進入客戶驗證階段,產品可靠度與良率進一步提升”。

(2019年第二季度各類晶圓營收占比,來源:中芯國際官網)

而在14nm以下工藝上,中芯國際也采取了繼續向下發展的計劃。就目前市場上的消息而言,中芯國際早在去年就在7nm工藝上做出了相應的布局。據公開資料顯示,中芯國際在去年向荷蘭ASML訂購了一臺EUV極紫外光刻機,單價高達1.2億美元,用于未來打造7nm工藝。

從上述種種消息來看,從2000年中芯國際成立到今天,在短短的將近20年中,中芯國際從一窮二白發展到如今14nm工藝并意圖7nm工藝,可以說是取得了驚人的成績。(與聯電相比,在三星還未重視晶圓代工之前,當初的晶圓代工二哥,曾在2009年就量產了40nm工藝,但如今它卻止步于12nm。)

中芯與國際巨頭之間的距離

據通信信息報消息顯示,截至 2017 年第二季度末,臺積電 28 納米以下的中高端制程芯片已經占總收入的 54%,40 納米以下占 67%。而中芯國際 2017 年收入貢獻度最高的還是來自于 90 納米及以下的制程技術,占比達到 50.7%。2017 年中芯 14 納米技術的研發也才到關鍵的突破期,尚未完成開發。由此可見,當中芯國際還在 28 納米掙扎時,臺積電的技術已經至少遙遙領先三代。

當中芯國際在28nm上有所進展,它與國際巨頭之間的還有多大的差距?據西南電子的報告顯示,中芯雖然還難以撼動臺積電28nm市場,但有望超越聯電和格羅方德。臺積電2016年28nm占據60%以上的市場,且收入占比維持25%左右,短時間內難以撼動。聯電28nm技術落后臺積電2年多,16年市場占比8%左右。格羅方德于2012年底實現28nm工藝的量產,多年處于虧損狀態且中國市場客戶不足。中芯國際28nm目前雖然市場占比較低,但是不斷擴大研發投入和引進人才,競爭力日漸增強,有望超越聯電和格羅方德。

(來源:西南證券)

在過去的日子里,半導體先進工藝一直遵循著摩爾定律“中規中矩”地發展。2003年,半導體制程從微米時代跨入了納米時代。在進入納米時代的十幾年后,由于技術和成本上壓力,半導體先進工藝也遇到了瓶頸。這種壓力,在為中芯國際帶來了挑戰以外,更為它帶來了機遇。目前,大部分代工廠的工藝都停留在了14nm上。而中芯國際也在不斷的追趕中,逐漸步入了14nm的軌道。

根據西南證券消息顯示,2018年1月30日,中芯國際公布公司旗下中芯南方擬增資擴股,使其注冊資本由2.10億美元增加32.9億美元至35億美元。據悉,中芯南方是配合中芯國際14納米及以下先進制程研發和量產計劃而建設的具備先進制程產能的12英寸晶圓廠。中芯南方預期在2018年度完成廠房建設和無塵室裝修,預計2019年會有設備資本支出。先階段擁有的14nm研發設施已經具備3500片的月產能,第二階段會達到6000片/月,第三階段會達到9000片/月。中芯南方目標將在2019年上半年投產,產品將有更高效能表現,成本較低,容易轉移技術及融入設備中使用。

根據報道稱,SMIC剛剛開始制造14nm芯片,而三星和臺積電多年來一直在制造此類芯片。分析公司China Renaissance估計,中芯國際在14納米和16納米芯片方面仍落后臺積電約17個季度。

以上是就中芯國際目前已有的技術,看它與國際巨頭之間的差距。那么,從未來的布局中看,中芯國際與國際廠商之間又有多遠的距離?

眾所周知,就目前的技術而言,先進工藝越是往前走,競爭者就越來越少。另外,市場也有一種聲音——10nm工藝是一個門檻,也是邁向7nm工藝的關鍵。以此看來,10nm的成與敗,關系到能否順利進到更先進的工藝上來。在這種壓力之下,聯電、格芯相繼放棄了10nm市場,而后,只有臺積電、英特爾和三星還在10nm以下的先進制程上較勁。而根據中芯國際的發展計劃來看,未來在7nm市場的競爭者還將多加個中芯國際。

對于10nm及其以下的工藝來講,目前,臺積電、三星和英特爾都有了相關的布局。

據公開消息顯示,臺積電于2016年首發10nm芯片,在接下來的3年中,10nm產品為臺積電創造了一定的營收。而后,臺積電于2018年量產了7nm工藝。據臺積電最新財報顯示,其7納米制程出貨占臺積電2019年第二季晶圓銷售金額的21%。在TSMC 2019 Technology Symposium中,臺積電還表示將于今年推出加強版的7nm工藝即N7+,明年量產6nm,在5納米方面,臺積電表示目前已經導入試產,計劃于明年第二季開始量產。另外,臺積電還計劃其3nm可在2021年試產、2022年量產。除此之外,臺積電還宣布公司正式開啟2納米工藝的研發工作,并在位于臺灣新竹的南方科技園建立2納米工廠。臺積電預計,2納米工藝研發需時4年,最快也得要到2024年才能進入投產。這款時間里5納米工藝乃至3納米工藝均會成為過渡產品,以供客戶生產芯片的需要。

三星方面,也在2017年表示,該公司有超過7萬個晶圓加工過程都采用了第一代10nm FinFET工藝。2018年初,三星開始量產第二代10nm工藝,稱為10LPP(低功率+)。據騰訊科技報道,在2018年晚些時候,三星推出了第三代10nm工藝,稱為10LPU(低功耗終極),提供了另一項性能提升。而根據其未來的制程工藝路線圖,三星則計劃今年推出7nm EUV工藝,明年有5/4nm EUV工藝,2020年則會推出3nm EUV工藝,同時晶體管類型也會從FinFET轉向GAA結構。但就目前日韓貿易局勢而言,三星7nm所需要的關鍵材料被日本管制,可能會導致其7nm工藝延遲推出。

而對于在14nm上進行了無數次優化的英特爾,也在今年推出了其10nm產品。據AI科技報消息稱,英特爾10nm工藝,將于今年年底上市銷售,只用于少數高端產品,對標同級別對手的7nm工藝,而服務器端將于明年上半年銷售。

總結來看,臺積電2018年已經量產7nm工藝,2020年則會轉向5nm節點。三星7nm EUV工藝預計2020年1月份量產,5nm 預計2021年量產。英特爾的10nm(對標臺積電的7nm)也已于前不久推出了相關產品,而聯電與格芯相繼宣布暫時擱置7nm制程研發,目前最先進工藝均為14nm。

以此看來,中芯國際正在縮小與國際巨頭之間的距離。但根據,中芯國際在先進工藝上的研發投入看來,2018年全年,中芯國際的研發投入僅超過6億美元。同時,通過本次電話會議,我們也了解到在未來研發方面,中芯國際在2019年計劃用于晶圓廠運作和資本開支約為21億美元,主要用于擁有多數股權的上海300mm晶圓廠的機器、設備,以及用于FinFET研發線。但這個數字與國際廠商相比,仍還有較大的差距——在過去5年中,臺積電在研發上投入了500億美元;三星也于2019年4宣布,將在2030年投資1150億美元用于系統半導體領域的研發和生產技術。其中,60萬億韓元(521億美元)將投資于用于制造邏輯芯片的生產設施和基礎設施。

這樣看來,中芯國際國際要想縮短與國際之間的距離,還有一段很漫長的路要走。

中芯國際引入的關鍵人才

除了技術方面以外,中芯國際要想與國際先進工藝接軌,還需要人才的加持。而中芯國際在2017年布局14nm工藝之時,就開始注重關鍵人才的引進。

在管理方面,中芯國際于2017年10月宣布采用Co-CEO模式,任命趙海軍和梁孟松擔任中芯國際CEO。據悉,梁孟松在1992就加入了臺積電,而且那一年憑借自主研發的技術擊敗了IBM,從此名揚全球。2008年梁孟松又從臺積電離職加入三星,在這個階段,三星的制程演進路線在他的領導下由32納米/28納米Planner技術直接跳階到14納米FinFET技術,并在2014年底開始量產。2017年梁孟松來到中芯國際,在中芯國際上任4個月以來,他加強了研發隊伍的建設,強化了責任制,提升效率及更具應變能力。同時調整更新了14納米FinFET 規劃,將3D FinFET工藝鎖定在高性能運算、低功耗芯片應用,并且已在設備性能上看到較大的進步。

同期,中芯國際也任命周梅生出任CTO一職。據西南電子的調查稱,周梅生過去在臺積電任職時是梁孟松的手下大將,未來在與梁孟松的合作中將全力幫助中芯國際跳級到14納米FinFET工藝。

除此之外,中芯國際的招攬人才之旅并沒有結束。在其發布最新財報的前一天,中芯國際董事會也宣布了一則重要消息。該消息顯示,8月7日起,楊光磊博士獲任該公司第三類獨立非執行董事及薪酬委員會成員,任期至2020年股東周年大會為止。據悉,楊光磊博士自1998年4月至2018年6月,在于臺灣積體電路制造股份有限公司(注:TSMC臺積電)位于臺灣及美國的公司先后擔任包括研發處長在內的多個不同職位,隨后于2018年6月退休。

正是這些人才的導入,讓中芯國際在過去的幾年中得到了快速的成長。照此趨勢發展,或許中芯國際也能在先進工藝上爭得自己的一片天地。

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